Goford Semiconductor GT023N10M — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT023N10M

Н100В,140А,РД<2,7 М при 10 В, VTH2,7 В~4

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT023N10M
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7387
  • Артикул: ГТ023Н10М
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2,2195

Дополнительная цена:$2,2195

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 140А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,7 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,3 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 90 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8050 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 500 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-ГТ023Н10МТР
Стандартный пакет 800
Н-канальный 100 В 140 А (Tc) 500 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-263