GOFORD SEMICONDUCTOR GT023N10T
N100V, 140a, Rd <2,7 м@10 v, VTH2.7V ~
- Проиджоделх: Goford Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT023N10T
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 100
- Sku: GT023N10T
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Goford Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 100 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 140a (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
| Rds on (max) @ id, vgs | 2,7mohm @ 20a, 10 В |
| Vgs (th) (max) @ id | 4,3 -пса 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 90 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| Взёр. | 8086 pf @ 50 v |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 500 м (TC) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-220 |
| PakeT / KORPUES | 220-3 |
| Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0000 |
| Дрогин ИНЕНА | 3141-GT023N10T |
| Станодар | 50 |
N-kanal 100 v 140A (TC) 500 sta (TC) чereз oTwerStiee 220
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740