Goford Semiconductor GT025N06AD5

N60v, 170a, rd <2,2 м.

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor GT025N06AD5
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4
Sku: GT025N06AD5
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.8300

Эkst цena:$1.8300

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	170a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	2,2mohm @ 20a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	81 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	5044 PF @ 30 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	104W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-DFN (4,9x5,75)
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Станодар	5000

N-kanal 60- 170A (TC) 104W (TC) PoverхnoStnoe krepleplenee 8-dfn (4,9x5,75)