Goford Semiconductor GT025N06AM6 — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT025N06AM6

Н60В,170А,РД<2,0 М при 10 В, ВТХ1,2 В~2.

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT025N06AM6
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7180
  • Артикул: GT025N06AM6
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,3230

Дополнительная цена:$1,3230

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 170А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2 МОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 70 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5058 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 215 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО263-6
Пакет/ключи ТО-263-7, Д²Пак (6 отведений + вкладка)
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-ГТ025Н06АМ6ТР
Стандартный пакет 800
N-канал 60 В 170 А (Tc) 215 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО263-6