Goford Semiconductor GT025N06AT — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT025N06AT

Н60В, 170А,РД<2,5 М при 10 В, VTH1,2 В~2

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT025N06AT
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: GT025N06AT
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,6880

Дополнительная цена:$0,6880

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 170А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,5 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 70 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4954 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 215 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
Н-канал 60 В 170 А (Тс) 215 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220