GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06D5

N60V, Rd (Max) <2,7 млн.@10V, Rd (max) <3.

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06D5
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 10
Sku: GT025N06D5
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,6630

Эkst цena:$0,6630

Подрэбной

Парметр
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	5000
Манера	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	95A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	2,7mohm @ 20a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	93 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	5950 PF @ 25 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	120 Вт (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-DFN (5,2x5,86)
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn

N-kanal 60 v 95a (Tc) 120 st (tc) porхnostnoe creplepleneene 8-dfn (5,2x5,86)