Goford Semiconductor GT025N06D5 — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT025N06D5

Н60В,РД(МАКС)<2,7 м при 10 В, RD (МАКС.) <3.

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT025N06D5
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 10
  • Артикул: GT025N06D5
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,6630

Дополнительная цена:$0,6630

Подробности

Теги

Параметры
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 95А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,7 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 93 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5950 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 120 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (5,2х5,86)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
N-канал 60 В 95 А (Tc) 120 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-DFN (5,2х5,86)