Goford Semiconductor GT030N08T — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT030N08T

Н85В,200А,РД<3,0 М при 10 В, VTH2,0 В ~ 4.

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT030N08T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4638
  • Артикул: GT030N08T
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2,3624

Дополнительная цена:$2,3624

Подробности

Теги

Параметры
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 260 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-ГТ030Н08Т
Стандартный пакет 50
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 85 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 112 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5822 пФ при 50 В
Н-канал 85 В 200 А (Тс) 260 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220