GOFORD SEMICONDUCTOR GT030N08T

N85V, 200a, Rd <3,0 м@10 v, VTH2.0V ~ 4.

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT030N08T
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 4638
Sku: GT030N08T
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $2.3624

Эkst цena:$2.3624

Подрэбной

Парметр
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	260 Вт (ТС)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	ДО-220
PakeT / KORPUES	220-3
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Дрогин ИНЕНА	3141-GT030N08T
Станодадж	50
Манера	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	85
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	200a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	3mohm @ 20a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	112 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	5822 PF @ 50 V

N-Kanal 85 V 200a (Tc) 260 st (Tc) чereз чereherserstie do 220