Goford Semiconductor GT035N10M — полевые транзисторы Goford Semiconductor, МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT035N10M

Н100В, 190А,РД<3,5 м при 10 В, VTH2 В ~ 4 В

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT035N10M
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 739
  • Артикул: ГТ035Н10М
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.8500

Дополнительная цена:$2.8500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 190А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,5 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 68 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6188 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 277 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Стандартный пакет 800
Н-канал 100 В 190 А (Tc) 277 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-263