Goford Semiconductor GT040N04D5I - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT040N04D5I

Н40В,110А,РД<3,5 М при 10 В, VTH1,0 В~2.

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT040N04D5I
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9874
  • Артикул: GT040N04D5I
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3119

Дополнительная цена:$0,3119

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 110А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,5 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2298 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 160 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (4,9х5,75)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-GT040N04D5ITR
Стандартный пакет 5000
Н-канальный 40 В 110 А (Tc) 160 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-DFN (4,9х5,75)