GOFORD SEMICONDUCTOR GT040N04D5I

N40V, 110A, RD <3,5 мкри 10 В, VTH1.0V ~ 2.

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT040N04D5I
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 9874
Sku: GT040N04D5I
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,3119

Эkst цena:$0,3119

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	110A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	3,5mohm @ 10a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	50 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	2298 pf @ 20 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	160 Вт (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-DFN (4,9x5,75)
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Дрогин ИНЕНА	3141-GT040N04D5ITR
Станодар	5000

N-kanal 40 v 110A (TC) 160 st (Tc) poverхnoStnoe creplepleneene 8-dfn (4,9x5,75)