Goford Semiconductor GT040N04TI - Полевые транзисторы Goford Semiconductor, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT040N04TI

Н40В, 110А,РД<4М при 10 В, VTH1,0 В~2,5

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT040N04TI
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3901
  • Артикул: GT040N04TI
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
ХТСУС 8541.29.0000
Стандартный пакет 50
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 110А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2303 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 160 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
Н-канал 40 В 110 А (Тс) 160 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220