Гофорд Полупроводник GT045N10M

Н100В, 120А,РД<4,5 м при 10 В, VTH2 В ~ 4 В

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT045N10M
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8336
Артикул: ГТ045Н10М
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	120А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	4,5 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	60 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	4198 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	180 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	ТО-263
Пакет/ключи	ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	800

Н-канальный 100 В 120 А (Tc) 180 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-263