Goford Semiconductor GT045N10T — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT045N10T

Н100В, 150А,РД<4,8 М при 10 В, VTH2 В ~ 4 В

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT045N10T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 91
  • Артикул: GT045N10T
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,8300

Дополнительная цена:$1,8300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 150А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,8 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 73 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4198 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 156 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-ГТ045Н10Т
Стандартный пакет 50
Н-канал 100 В 150 А (Тс) 156 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220