Goford Semiconductor GT060N04D3 - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT060N04D3

Н40В,РД(МАКС)<6,5 м при 10 В, RD (МАКС.) <10

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT060N04D3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 15
  • Артикул: GT060N04D3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1740

Дополнительная цена:$0,1740

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6,5 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 32 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1282 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 36 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (3,15х3,05)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
N-канал 40 В 40 А (Tc) 36 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-DFN (3,15х3,05)