Goford Semiconductor GT060N04D52

Dual N40V, 62A, RD <6,5 м.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,4215

Эkst цena:$0,4215

Подробнеси

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Активна
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Коунфигура	2 n-канал
FET FUONKSHINA	Станода
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	62a (TC)
Rds on (max) @ id, vgs	6,5mohm @ 30a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,3 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	44NC @ 10V
Взёр.	1276pf @ 20v
Синла - МАКС	20 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-DFN (4,9x5,75)
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Дрогин ИНЕНА	3141-GT060N04D52TR
Станодар	5000

MOSFET Array 40V 62A (TC) 20 Ty (Tc) PoverхnosTnoe kreplepleneene 8-dfn (4,9x5,75)