Парметр |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 3141-GT060N04Ktr |
Станодар | 2500 |
Млн | Goford Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 40 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 54a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 5,5mohm @ 30a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,3 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 19 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 1279 PF @ 20 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 44W (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 252 |
PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
N-kanol 40 В 54a (TC) 44W (TC)