Goford Semiconductor GT080N08D5 — Полевые транзисторы Goford Semiconductor, МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT080N08D5

Н85В,65А,РД<8,5 м при 10 В, VTH2,0 В~4,0

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT080N08D5
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 5608
  • Артикул: GT080N08D5
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3673

Дополнительная цена:$0,3673

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 85 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 65А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1885 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 69 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (4,9х5,75)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-GT080N08D5TR
Стандартный пакет 5000
Н-канальный 85 В 65 А (Tc) 69 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-DFN (4,9х5,75)