GOFORD SEMICONDUCTOR GT080N08D5
N85V, 65A, RD <8,5 мкри 10 В, VTH2,0 В ~ 4,0
- Проиджоделх: Goford Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT080N08D5
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 5608
- Sku: GT080N08D5
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Манера | Goford Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 85 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 65A (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
| Rds on (max) @ id, vgs | 8mohm @ 20a, 10v |
| Vgs (th) (max) @ id | 4 В @ 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 39 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| Взёр. | 1885 PF @ 50 V |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 69 Вт (TC) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN (4,9x5,75) |
| PakeT / KORPUES | 8-Powertdfn |
| Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0000 |
| Дрогин ИНЕНА | 3141-GT080N08D5TR |
| Станодадж | 5000 |
N-kanal 85-65a (tc) 69w (tc) porхnosstnoe kreplepleneene 8-dfn (4,9x5,75)
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740