GOFORD SEMICONDUCTOR GT080N10KI
N100V, 65a, Rd <8m@10V, VTH1.0V ~ 2,5 v.
- Проиджоделх: Goford Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT080N10KI
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 5300
- Sku: GT080N10KI
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Goford Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 100 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 65A (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
| Rds on (max) @ id, vgs | 8mohm @ 20a, 10v |
| Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 35 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| Взёр. | 2394 PF @ 50 V |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 79 Вт (ТС) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 252 |
| PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
| Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0000 |
| Дрогин ИНЕНА | 3141-GT080N10KITR |
| Станодар | 2500 |
N-kanal 100- 65a (tc) 79w (tc) porхnosstnoe krepleplenee 252
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740