Goford Semiconductor GT080N10KI - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT080N10KI

Н100В,65А,РД<8М при 10 В, VTH1,0 В~2,5 В

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT080N10KI
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 5300
  • Артикул: GT080N10KI
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,7012

Дополнительная цена:$0,7012

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 65А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 35 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2394 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 79 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-ГТ080Н10КИТР
Стандартный пакет 2500
Н-канальный 100 В 65 А (Tc) 79 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-252