Гофорд Полупроводник GT080N10M

Н100В, 70А,РД<7,5 М при 10 В, VTH1 В ~ 3 В,

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT080N10M
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1
Артикул: ГТ080Н10М
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5690

Дополнительная цена:$0,5690

Подробности

Параметры
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	ТО-263
Пакет/ключи	ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0000
Стандартный пакет	800
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	70А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	7,5 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	35 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	2125 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	100 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)

Н-канальный 100 В 70 А (Tc) 100 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-263