Гофорд Полупроводник GT080N10T

Н100В, 70А,РД<8М при 10 В, VTH1,0 В~3,0

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT080N10T
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2602
Артикул: GT080N10T
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	ГТ
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	70А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	8 мОм при 50 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	35 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	2257 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	100 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-220
Пакет/ключи	ТО-220-3
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
Стандартный пакет	50

Н-канальный 100 В 70 А (Tc) 100 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-220