GOFORD SEMICONDUCTOR GT088N06T

N60V, RD (MAX) <9M@10V, RD (MAX) <13M@

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT088N06T
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 10
Sku: GT088N06T
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,3040

Эkst цena:$0,3040

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	60a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	9mohm @ 14a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	24 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1620 PF @ 30 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	75W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	ДО-220
PakeT / KORPUES	220-3
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	50

N-kanal 60- 60A (TC) 75 Вт (TC).