Goford Semiconductor GT090N06D52 - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT090N06D52

Н60В,РД(МАКС)<9М@10В,RD(MAX)<13М@

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT090N06D52
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 10
  • Артикул: GT090N06D52
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3830

Дополнительная цена:$0,3830

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 14 мОм при 14 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 24 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1620пФ при 30В
Мощность - Макс. 62 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (4,9х5,75)
Базовый номер продукта GT090N06
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Массив МОП-транзисторов 60 В, 40 А (Tc) 62 Вт (Tc), для поверхностного монтажа 8-DFN (4,9х5,75)