Гофорд Полупроводник GT095N10D5

Н100В,РД(МАКС)<11М@10В,RD(MAX)<15

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT095N10D5
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 50
Артикул: GT095N10D5
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3100

Дополнительная цена:$0,3100

Подробности

Параметры
Рассеиваемая мощность (макс.)	74 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	8-ПДФН (5х6)
Пакет/ключи	8-PowerTDFN
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	5000
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	55А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	11 мОм при 35 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	54 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Особенность левого транзистора	-

Н-канальный 100 В, 55 А (Tc) 74 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-PDFN (5x6)