Goford Semiconductor GT095N10S - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT095N10S

Н100В, 21А,РД<9,5 М при 10 В, VTH1,2 В~2

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT095N10S
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 28
  • Артикул: GT095N10S
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2850

Дополнительная цена:$0,2850

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 9,5 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,6 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 29,4 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2131 пФ при 50 В
Рассеиваемая мощность (макс.) 8 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОП
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 4000
N-канальный 100 В 11 А (Tc) 8 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-SOP