Goford Semiconductor GT1003A - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT1003A

Н100В, 3А,РД<140 М при 10 В, VTH1,0 В~3.

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT1003A
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 102
  • Артикул: GT1003A
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0550

Дополнительная цена:$0,0550

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд ГТ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 140 мОм при 3 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4,3 нк при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 206 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,6 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
Стандартный пакет 3000
Н-канал 100 В 3А (Та) 1,6 Вт (Та) для поверхностного монтажа СОТ-23-3