Гофорд Полупроводник GT105N10T

Н100В,РД(МАКС)<10,5 м при 10 В, RD (МАКС.)

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT105N10T
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 20
Артикул: ГТ105Н10Т
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3820

Дополнительная цена:$0,3820

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	55А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	10,5 мОм при 35 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	54 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	74 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-220
Пакет/ключи	ТО-220-3
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	100

Н-канал 100 В 55 А (Тс) 74 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220