GOFORD SEMICONDUCTOR GT105N10T

N100V, RD (MAX) <10,5 м@10V, RD (MAKS)

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT105N10T
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 20
Sku: GT105N10T
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,3820

Эkst цena:$0,3820

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	55A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	10,5mohm @ 35a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	54 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	74W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	ДО-220
PakeT / KORPUES	220-3
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	100

N-kanal 100-55a (tc) 74w (tc) чereзe otwerstie do-220