Goford Semiconductor GT110N06D5 — Полевые транзисторы Goford Semiconductor, МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT110N06D5

Н60В, 45А,РД<11М при 10 В, VTH1,0 В~2,4

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT110N06D5
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9
  • Артикул: GT110N06D5
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9100

Дополнительная цена:$0,9100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд ГТ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 45А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 11 мОм при 14 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 31 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1202 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 69 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (4,9х5,75)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
Стандартный пакет 5000
N-канал 60 В 45 А (Tc) 69 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-DFN (4,9x5,75)