Гофорд Полупроводник GT110N06S

Н60В,РД(МАКС)<15М@-4,5В,RD(MAX)<1

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT110N06S
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 12
Артикул: GT110N06S
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0.2010

Дополнительная цена:$0.2010

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	14А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	11 мОм при 14 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	24 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1300 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	3 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	8-СОП
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	4000

N-канал 60 В 14 А (Tc) 3 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-SOP