Goford Semiconductor GT250P10T — Goford Semiconductor FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT250P10T

МОП-транзистор П-Ч 100В 56А ТО-220

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT250P10T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4566
  • Артикул: ГТ250П10Т
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,7500

Дополнительная цена:$1,7500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 56А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 30 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 73 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4059 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 173,6 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-ГТ250П10Т
Стандартный пакет 50
П-канал 100 В 56 А (Тс) 173,6 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220