GOFORD SEMICONDUCTOR GT52N10T
N100V, RD (MAX) <9M@10V, RD (MAX) <15M
- Проиджоделх: Goford Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT52N10T
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 50
- Sku: GT52N10T
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Манера | Goford Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 100 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 80A |
| Rds on (max) @ id, vgs | 9mohm @ 50a, 10 В |
| Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 44,5 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| Взёр. | 2626 pf @ 50 v |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 227 Вт |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-220 |
| PakeT / KORPUES | 220-3- |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 50 |
N-канал 100- 80a 227w чereз otwerstie no 220
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740