Гофорд Полупроводник GT52N10T

Н100В,РД(МАКС)<9М@10В,RD(MAX)<15М

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT52N10T
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 50
Артикул: ГТ52Н10Т
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4630

Дополнительная цена:$0,4630

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	80А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	9 мОм при 50 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	44,5 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	2626 пФ при 50 В
Рассеиваемая мощность (макс.)	227 Вт
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-220
Пакет/ключи	ТО-220-3 Полный пакет
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	50

N-канал 100 В 80 А 227 Вт сквозное отверстие ТО-220