Гофорд Полупроводник GT55N06D5

Н60В,РД(МАКС)<8М@10В,RD(MAX)<13М@

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT55N06D5
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 10
Артикул: GT55N06D5
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2480

Дополнительная цена:$0,2480

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	53А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	9 мОм при 14 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	31 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1988 ПФ при 30 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	70 Вт (Та)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	8-ДФН (4,9х5,75)
Пакет/ключи	8-PowerTDFN
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	5000

Н-канальный 60 В 53 А (Та) 70 Вт (Та) для поверхностного монтажа 8-DFN (4,9х5,75)