Goford Semiconductor GT650N15K — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT650N15K

Н150В,РД(МАКС)<65 м при 10 В, VTH2,5 В~4.

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT650N15K
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: ГТ650Н15К
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2750

Дополнительная цена:$0,2750

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 65 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 НК @ 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 600 пФ при 75 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 68 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Н-канальный 150 В 20 А (Tc) 68 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-252