Парметр |
Млн | Goford Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 100 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 1a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
Rds on (max) @ id, vgs | 670MOHM @ 1A, 10V |
Vgs (th) (max) @ id | 3 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 10 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 253 pf @ 50 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 1,4 yt (tc) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT-23-3 |
PakeT / KORPUES | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0000 |
Станодадж | 3000 |
P-KANAL 100-1A (TC) 1,4-мкт (TC) PORHERхNOSTNOE