Goford Semiconductor GT700P08T — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT700P08T

П-80В,-25А,РД<72М@-10В,ВТХ-2В~-

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT700P08T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3355
  • Артикул: GT700P08T
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 72 мОм при 2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 75 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1639 пФ при 40 В
Рассеиваемая мощность (макс.) 125 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
П-канал 80 В 25 А (Тс) 125 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220