Парметр |
Млн | ХOroShyй poluprovowodonyk |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 P-KANAL |
FET FUONKSHINA | Станода |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 18.4a (TC) |
Rds on (max) @ id, vgs | 16mohm @ 8a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 21nc @ 4,5 |
Взёр. | 2510pf @ 15v |
Синла - МАКС | 8,9 yt (tc) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0080 |
Станодадж | 3000 |
Массив MOSFET 30 В 18,4a (Tc) 8,9 st (Tc) poverхnoStnoe