| Параметры |
| Производитель | Компания GSI Technology Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM – синхронный, ZBT |
| Размер | 18 Мбит |
| Организация | 1М х 18 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 250 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 2,3 В ~ 2,7 В, 3 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 100°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 100-LQFP |
| Поставщик пакета оборудования | 100-ТКФП (20х14) |
| Базовый номер продукта | GS8160Z18 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3A991B2B |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Другие имена | 2364-GS8160Z18DGT-250I |
| Стандартный пакет | 36 |
SRAM — синхронная, микросхема памяти ZBT, 18 Мбит, параллельная, 250 МГц, 100-TQFP (20x14)