GSI Technology Inc. GS8182R36BGD-300I
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FPBGA
- Проиджоделх: GSI Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: GSI Technology Inc. GS8182R36BGD-300I
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 6794
- Sku: GS8182R36BGD-300I
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | GSI Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Шram |
| Тела | SRAM - Synchronous, DDR II |
| Raзmerpmayti | 18 марта |
| Органихая | 512K x 36 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 300 мг |
| Верный | - |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,9 В. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 165-LBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 165-FPBGA (15x13) |
| Baзowый nomer prodikta | GS8182R36 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | 3A991B2B |
| Htsus | 8542.32.0041 |
| Дрогин ИНЕНА | 2364-GS8182R36BGD-300I |
| Станодар | 18 |
SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18MBIT PARALLEL 300 MMGц 165 -FPBGA (15x13)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p