Nexperia USA Inc. PMGD370XN,115 - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PMGD370XN,115

ПМГД370XN,115

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PMGD370XN,115
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4466
  • Артикул: ПМГД370XN,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд ТренчМОС™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 740 мА
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 440 мОм при 200 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0,65 нк при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 37пФ при 25В
Мощность - Макс. 410мВт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования 6-ЦСОП
Базовый номер продукта ПМГД370
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 30 В, 740 мА, 410 мВт, для поверхностного монтажа, 6-ТССОП