Harris Corporation HGT1S15N120C3S — IGBT Harris Corporation — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Харрис HGT1S15N120C3S

35 А, 1200 В, Н-КАНАЛЬНЫЙ БТИЗ

  • Производитель: Харрис Корпорейшн
  • Номер производителя: Корпорация Харрис HGT1S15N120C3S
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 695
  • Артикул: ХГТ1С15Н120С3С
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.0200

Дополнительная цена:$4.0200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Харрис Корпорейшн
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ -
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 35 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 120 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3,5 В при 15 В, 15 А
Мощность - Макс. 164 Вт
Переключение энергии -
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 100 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C -
Условия испытаний -
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Поставщик пакета оборудования ТО-263АБ
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
IGBT 1200 В 35 А 164 Вт для поверхностного монтажа TO-263AB