Harris Corporation HGTD8P50G1S
8a, 500-v-kanol igbt
- Проиджоделх: ХArrISCORPORAHIN
- NoMerPOIзVODITELEL: Harris Corporation HGTD8P50G1S
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 6
- Sku: HGTD8P50G1S
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | ХArrISCORPORAHIN |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | - |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 500 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 12 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 18 а |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2,9 В @ 15 В, 3А |
| Синла - МАКС | 66 Вт |
| Переклхейн | - |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 30 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | - |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | - |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 252AA |
| Статус Ройс | Rohs |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | Продан |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 0000.00.0000 |
| Станодар | 1 |
IGBT 500 В 12 A 66 -й -вестра
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F