Harris Corporation HGTH20N50E1D
20 а., 500-й, n-каненский
- Проиджоделх: ХArrISCORPORAHIN
- NoMerPOIзVODITELEL: Harris Corporation HGTH20N50E1D
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 325
- Sku: HGTH20N50E1D
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | ХArrISCORPORAHIN |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | - |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 500 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 20 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 35 а |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 3,2- прри 20 В, 35а |
| Синла - МАКС | 100 y |
| Переклхейн | - |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 33 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | - |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | - |
| Raboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | До-218-3 Иолированажа Кладка, 218AC |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО 218 ИСЛОЛИРОВАН |
| Статус Ройс | Rohs |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | Продан |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 1 |
IGBT 500 -20 A 100 THEREз OTWRSTIER 218 ИГОЛИРОВАН
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F