| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Issi, ина |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Raзmerpmayti | 512 мб |
| Органихая | 16m x 32 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 166 мг |
| Верна, аписи - | 12NS |
| Вернее | 5,5 млн |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,95 В. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 90-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 90-TFBGA (8x13) |
| Baзowый nomer prodikta | IS43LR32160 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0028 |
| Станодадж | 240 |
SDRAM - MOBILINANVERPAMPATH LPDDR IC 512MBIT PARALLELH 166 MMGц 5,5 млн 90 -тфбга (8x13)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p