Парметр |
Млн | Infineon Technologies |
В припании | Coolmos ™ C7 |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | ПРЕКРЕЙНОВ ДИГОВОЙ КЛЮЧ |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 650 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 24а (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
Rds on (max) @ id, vgs | 95mohm @ 11.8a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 4в @ 590 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 45 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 2140 pf @ 400 |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 128W (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | PG-TO263-3 |
PakeT / KORPUES | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB |
Baзowый nomer prodikta | IPB65R |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | SP001080124 |
Станодадж | 1000 |
N-kanal 650-24a (tc) 128w (tc) poverхnosstnoe kreplepleneene pg-to263-3