GeneSiC Полупроводниковый GB25MPS17-247

ГБ25МПС17-247

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Полупроводниковый GB25MPS17-247
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8220
Артикул: ГБ25МПС17-247
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Карбид кремния Шоттки MPS™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Устаревший
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1700 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	52А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,8 В при 25 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	10 мкА при 1700 В
Эмкость @ Вр, Ф	2350пФ @ 1В, 1МГц
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-2
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-2
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Базовый номер продукта	ГБ25МПС17
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-1344 гг.
Стандартный пакет	30

Диод 1700 В 52А Сквозной ТО-247-2