| Параметры |
| Производитель | ИБМ |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM – синхронный |
| Размер | 8Мбит |
| Организация | 512К х 18 |
| Интерфейс памяти | ХСТЛ |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 1,8 нс |
| Напряжение питания | 2375 В ~ 2625 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | - |
| Пакет/ключи | - |
| Поставщик пакета оборудования | - |
| Базовый номер продукта | - |
| Статус RoHS | Непригодный |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | Поставщик не определен |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — ИС синхронной памяти 8 Мбит HSTL 1,8 нс