| Параметры |
| Производитель | IDT, Integrated Device Technology Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 1 Мбит |
| Организация | 64К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 12нс |
| Время доступа | 12 нс |
| Напряжение питания | 4,5 В ~ 5,5 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 44-СОЮ |
| Базовый номер продукта | 71016С |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | Затронуто REACH |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — микросхема асинхронной памяти, 1 Мбит, параллельная, 12 нс, 44-SOJ