| Параметры |
| Производитель | IDT, Integrated Device Technology Inc. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 256Кбит |
| Организация | 32К х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 35 нс |
| Время доступа | 35 нс |
| Напряжение питания | 4,5 В ~ 5,5 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 125°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 28-SOIC (ширина 0,300 дюйма, 7,62 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 28-СОИК |
| Базовый номер продукта | 71256SA |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — ИС асинхронной памяти 256 Кбит Параллельно 35 нс 28-SOIC