IDT, Integrated Device Technology Inc 71p79804s250bqi
IC SRAM 18MBIT PAR 165CABGA
- Проиджоделх: IDT, Integrated Device Technology Inc
- NoMerPOIзVODITELEL: IDT, Integrated Device Technology Inc 71p79804s250bqi
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 6218
- Sku: 71p79804s250bqi
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Шram |
| Тела | SRAM - Synchronous, DDR II |
| Raзmerpmayti | 18 марта |
| Органихая | 1m x 18 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 250 мг |
| Верный | - |
| Вернее | 6,3 м |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,9 В. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 165-TBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 165-Cabga (13x15) |
| Baзowый nomer prodikta | 71p79 |
| Статус Ройс | Rohs |
| Вернояж | 3 (168. |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | 3A991B2A |
| Htsus | 8542.32.0041 |
| Станодадж | 1 |
SRAM - Synchronous, DDR II память IC 18MBIT Параллель 250 мг.
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p