IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA10YG

IC SRAM 1 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 44SOJ

Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc.
Номер производителя: IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA10YG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3933
Артикул: 71В016СА10ИГ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Формат памяти	СРАМ
Технология	SRAM — асинхронный
Размер	1 Мбит
Организация	64К х 16
Интерфейс памяти	Параллельно
Время цикла записи — Word, Page	10 нс
Время доступа	10 нс
Напряжение питания	3,15 В ~ 3,6 В
Рабочая температура	0°С ~ 70°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм)
Поставщик пакета оборудования	44-СОЮ
Базовый номер продукта	71В016
ECCN	3A991B2B
ХТСУС	8542.32.0041
Стандартный пакет	1
Производитель	IDT, Integrated Device Technology Inc.
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип	Неустойчивый

SRAM — ИС асинхронной памяти, 1 Мбит, параллельной, 10 нс, 44-SOJ