IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA10Y
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
- Проиджоделх: IDT, Integrated Device Technology Inc
- NoMerPOIзVODITELEL: IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA10Y
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 5630
- Sku: 71V124SA10Y
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Формат пэмаи | Шram |
| Тела | SRAM - Асинров |
| Raзmerpmayti | 1 март |
| Органихая | 128K x 8 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| Верна, аписи - | 10NS |
| Вернее | 10 млн |
| Napraheneee - posta | 3,15 n 3,6 В. |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 32-Soj |
| Baзowый nomer prodikta | 71V124 |
| Статус Ройс | Rohs |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | 3A991B2B |
| Htsus | 8542.32.0041 |
| Станодадж | 1 |
| Млн | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
SRAM - Асинровя Айр.
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p