IDT, Integrated Device Technology Inc 71V256SA10YG
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
- Проиджоделх: IDT, Integrated Device Technology Inc
- NoMerPOIзVODITELEL: IDT, Integrated Device Technology Inc 71V256SA10YG
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 6119
- Sku: 71V256SA10YG
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Шram |
| Тела | SRAM - Асинров |
| Raзmerpmayti | 256 |
| Органихая | 32K x 8 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| Верна, аписи - | 10NS |
| Вернее | 10 млн |
| Napraheneee - posta | 3 В ~ 3,6 В. |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 28-soj |
| Baзowый nomer prodikta | 71V256 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0041 |
| Станодадж | 1 |
SRAM - Асинровя Айния IC 256KBIT PARALLEL 10 NS 28 -SOJ
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p